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二氧化层硅片

简要描述:低维材料在线商城可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片/二氧化层硅片,质量优良;氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻率晶向等参数均按照国标执行。
热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下,给过程称为热氧化。

  • 更新时间:2022-08-16
  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 访  问  量:205

详细介绍

低维材料在线商城可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片,质量优良;氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻率晶向等参数均按照国标执行。
热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下,给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度,使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层,它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中,热氧化层都扮演着非常重要的角色,以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。
二氧化层硅片应用范围:
1,刻蚀率测定
2,金属打线测试
3,金属晶圆
4,电性绝缘层
产品名称:4英寸二氧化硅抛光硅片 (SiO2)
生长方式:直拉单晶(CZ)  热氧化工艺
直径与公差:100±0.4mm
掺杂类型:N型(掺磷、砷、锑) P型(掺硼)
晶向:<111>\<100>
电阻率:0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制
工艺数据:平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度< 10 (for size >0.3μm)
现有规格:50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
二氧化层硅片用途介绍:用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体。

类型1英寸2英寸
3英寸
4英寸
5英寸
6英寸
8英寸
单面抛光片
1英寸
2英寸
3英寸
4英寸
5英寸
6英寸
8英寸
双面抛光片
可定制2英寸
3英寸
4英寸
5英寸
6英寸
8英寸
二氧化硅片(SiO2)
不可定制
2英寸
3英寸
4英寸
5英寸
6英寸
可定制
切割片、研磨片
可定制2英寸
3英寸
4英寸
5英寸
6英寸
不可定制

区熔本征高阻

不掺杂硅片

可定制2英寸
3英寸
4英寸
5英寸
6英寸
不可定制
单晶硅棒1英寸
2英寸
3英寸
4英寸
5英寸
6英寸
不可定制

注:本商城提供多系列多规格的硅片,标价仅为一种规格,如需多种规格请与客服联系。



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