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CVD石墨烯CVD六方氮化硼异质结

简要描述:CVD石墨烯CVD六方氮化硼异质结
石墨烯/h-BN薄膜的性质:
单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm(p掺杂)SiO2/Si晶片上
尺寸:1cmx1cm; 4片装
每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的覆盖率约为98%
薄膜是连续的,有小孔和有机残留物
高结晶质量
石墨烯薄膜预先单层(超过95%),偶尔有少量多层(双层小于5%)
薄层电阻:430-800Ω/平方

  • 更新时间:2022-08-15
  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 访  问  量:167

详细介绍

基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯CVD六方氮化硼异质结

石墨烯/h-BN薄膜的性质:
单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm(p掺杂)SiO2/Si晶片上

尺寸:1cmx1cm; 4片装
每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的覆盖率约为98%
薄膜是连续的,有小孔和有机残留物
高结晶质量
石墨烯薄膜预先单层(超过95%),偶尔有少量多层(双层小于5%)
薄层电阻:430-800Ω/平方

石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通过CVD方法在铜箔上生长,然后转移到SiO2/Si晶片上。

硅/二氧化硅晶圆的特性:
氧化层厚度:285nm
颜色:紫罗兰色
晶圆厚度:525微米
电阻率:0.001-0.005欧姆 - 厘米
型号/掺杂剂:P /硼
方向:<100>
前表面:抛光
背面:蚀刻


 

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