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晶体尺寸:25平方毫米 晶体种类:半导体 晶体纯度:99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 其他更多定制尺寸请联系在线客服
硫化镓晶体 GaS(Gallium Sulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
硫化锗晶体 GeS(Germanium Sulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:斜方晶系 晶胞参数:a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
二硫化铪晶体 HfS2 (Hafnium Disulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
二硫化钼晶体(天然) MoS2(Molybdenum Disulfide) 晶体结构:六边形 类型:天然晶体 尺寸:~10mm-20mm 纯度:99% 属性:半导体
二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/n 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:N型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
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