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基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜

简要描述:基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜
将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上
尺寸:1cmx1cm; 8片
将每个石墨烯膜连续转移到晶片上
我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的石墨烯覆盖率约为98%
石墨烯薄膜是连续的,具有小孔和有机残留物
每个石墨烯薄膜主要是单层(超过95%),偶尔有少量多层(低于5%的双层)
由于没有A-B堆叠

  • 更新时间:2022-07-07
  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 访  问  量:140

详细介绍

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜
将两层单层CVD石墨烯膜转移  到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上
尺寸:1cmx1cm; 8片
将每个石墨烯膜连续转移到晶片上
我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的石墨烯覆盖率约为98%
石墨烯薄膜是连续的,具有小孔和有机残留物
每个石墨烯薄膜主要是单层(超过95%),偶尔有少量多层(低于5%的双层)
由于没有A-B堆叠顺序。石墨烯薄膜彼此随机取向。
薄层电阻:215-700Ω/平方

硅/二氧化硅晶圆的特性:
氧化层厚度:285nm
颜色:紫罗兰色
晶圆厚度:525微米
电阻率:0.001-0.005欧姆 - 厘米
型号/掺杂剂:P /硼
方向:<100>
前表面:抛光
背面:蚀刻

应用:
石墨烯电子和晶体管
导电涂料
航空航天工业应用
支持金属催化剂
微执行器
MEMS和NEMS
化学和生物传感器
基于石墨烯的多功能材料
石墨烯研究

硅/二氧化硅晶圆的特性:
氧化层厚度:285nm
颜色:紫罗兰色
晶圆厚度:525微米
电阻率:0.001-0.005欧姆 - 厘米
型号/掺杂剂:P /硼
方向:<100>
前表面:抛光
背面:蚀刻

应用:
石墨烯电子和晶体管
导电涂料
航空航天工业应用
支持金属催化剂
微执行器
MEMS和NEMS
化学和生物传感器
基于石墨烯的多功能材料
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